1)安裝1)按電路元件明細(xì)表配齊元件，并對(duì)元件進(jìn)行檢測(cè)。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認(rèn)無(wú)誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認(rèn)無(wú)誤后，接通電源進(jìn)行調(diào)試。先調(diào)控制電路，然后再調(diào)試主電路?？刂齐娐返恼{(diào)試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形，應(yīng)為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應(yīng)為鋸齒波；調(diào)節(jié)電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是：用調(diào)壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽(yáng)、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導(dǎo)通部分；調(diào)節(jié)電位器RP，波形中平線的長(zhǎng)度隨之變化，表示晶閘管導(dǎo)通角可調(diào)，電路工作正常。否則要檢查原因，排除故障后，重新調(diào)試。待檢查無(wú)誤后，給主電路加工作電壓，燈泡EL發(fā)光。調(diào)節(jié)RP，當(dāng)增大RP時(shí)，則EL變暗；當(dāng)減小RP時(shí)，則EL變亮，說(shuō)明電路工作正常。正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。濟(jì)南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開(kāi)始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后，仍然起動(dòng)不起來(lái)。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測(cè)量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開(kāi)關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當(dāng)增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當(dāng)然，過(guò)小的逆變換相此前角會(huì)使逆變換相失敗，表現(xiàn)為中頻電壓升高時(shí)，會(huì)出現(xiàn)重復(fù)起動(dòng)。再把DIP-2開(kāi)關(guān)打在ON位置，調(diào)節(jié)主控板上W3微調(diào)電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據(jù)不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。威海MTDC200晶閘管智能模塊組件正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱(chēng)為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見(jiàn)的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類(lèi)。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測(cè)單結(jié)晶體管時(shí)，萬(wàn)用表置于“R×1k”擋。

2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱(chēng)反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖顯見(jiàn)，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱(chēng)性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。追問(wèn)：兄弟圖呢？回答：變頻器的基本工作原理是，首先將三相/單相交流電通過(guò)整流，使之變成直流電壓，為了保證直流電壓的穩(wěn)定，在正負(fù)兩端連接電解電容；為了提高輸入測(cè)的功率因數(shù)及減少電容的紋波電流，很多變頻器都配置直流再經(jīng)過(guò)逆變模塊的作用。正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。

對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開(kāi)G極，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。注意事項(xiàng)：（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣熱忱歡迎新老客戶(hù)惠顧。濟(jì)南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

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檢測(cè)兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符，說(shuō)明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路，用萬(wàn)用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對(duì)數(shù)，即以e（）為底的對(duì)數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過(guò)燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶閘管，也叫做可控硅。濟(jì)南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

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